全新光電自1996年成立以來，既已看到HBT的爆發力，但在當時這仍是一個冷門產業，且研發及客戶驗證時間較長，因此全新才會同時切入大家比較熟知的高亮度LED（發光二極體），1998年全新光電確實也靠著LED的生產而創造營收。1999年全新自美國聘請具磊晶研發設計和量產豐富經驗的楊懷東博士，加入公司的經營團隊，擔任技術總監，負責全新在磊晶技術方面的技術研發、產品量產系統的建立、及人員的培訓等。三年後，鑒於楊博士的優異表現，全新董事會任命楊博士擔任全新的總經理職務，楊總經理不僅得以在全新發揮技術長才，更可以介入公司的營運層面，開創個人事業生涯的另一高峰；當然楊總經理對美國市場的熟悉度及豐沛的人脈關係，也對開拓全新的美國市場有相當大的幫助。

在楊總經理的領導下，全新的表現相當亮眼。全新光電在砷化鎵為基材的磊晶技術研發上，以ＭＯＣＶＤ（有機金屬氣相磊晶成長法）為核心技術，開發技術層次較高的ＨＢＴ，並且是從新一代ＨＢＴ（異質接面雙載子電晶體）（InGaP HBT）切入，由於難度較高，過去十年只有美國Kopin有量產實力，而在1996年成立的全新光電，卻在技術團隊的共同努力下，以台灣自行研發的技術，在短短兩年的時間就開發出第二代ＨＢＴ，並且在1999年獲得認證，成為繼Kopin之後，全世界第二家有能力以ＭＯＣＶＤ量產ＨＢＴ的廠商。全新的技術領先國內同行三年，目前全新正努力將ＨＢＴ的技術層次往上提升，第三代的ＨＢＴ也研發完成。由於HBT的待機電流較低，體積又比PHEMT小，成本較低，在未來手機愈來愈輕薄短小的趨勢下，HBT將成為主流。

　　全新光電投入HBT的研發之初，由於產品認證時間相當長，因此虧損情形相當嚴重，公司險些撐不下去，直到2001年才首度轉虧為盈。此時政府的延攬海外人才補助措施發揮雪中送炭的功效，不僅解除海外人才回國後，面臨國內外薪資差異懸殊，薪資驟然縮減影響家庭生計；同時，藉由政府的挹注，擴大公司對國內外員工的差異性，增加公司在吸引並留住海外優異人才的籌碼，又不至於產生公司對國內外員工差異性過大的印象；當然公司的發展遠景和知人善任，海外人才的技術優勢與豐沛的人脈關係，以及其對事業生涯的另一階段的規劃夢想和對國內不可分割的鄉土情結，也是促成此件延攬海外人才成功的因素。